|
 |
Название электронного компонента: IRF530N Описание IRF530N: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = 17A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF530N datasheet: 212Kb Скачать IRF530N datasheet: IRF530N.PDF |