Название электронного компонента: IRF5803 Описание IRF5803: HEXFET power MOSFET. VDSS = -40V, RDS(on) = 112 mOhm, ID = -3.4A @ VGS = -10V, RDS(on) = 190 mOhm , ID = -2.7A @ VGS = -4.5V Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TSOP (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF5803 datasheet: 109Kb Скачать IRF5803 datasheet: IRF5803.PDF |