|
 |
Название электронного компонента: IRF5810 Описание IRF5810: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 90 mOhm, ID = -2.9A @ VGS = -4.5V, RDS(on) = 135 mOhm, ID = -2.3A @ VGS = -2.5V Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TSOP (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF5810 datasheet: 208Kb Скачать IRF5810 datasheet: IRF5810.PDF |