Название электронного компонента: IRF5851 Описание IRF5851: HEXFET power MOSFET. VDSS = -20V, RDS(on) = 0.135 Ohm (P-Ch). VDSS = 20V, RDS(on) = 0.090 Ohm (N-Ch) Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TSOP (Pins: 6) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF5851 datasheet: 172Kb Скачать IRF5851 datasheet: IRF5851.PDF |