|
 |
Название электронного компонента: IRF5M5210 Описание IRF5M5210: HEXFET power MOSFET thru-hole. BVDSS = -100V, RDS(on) = 0.07 Ohm, ID = -34A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-254AA (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRF5M5210 datasheet: 113Kb Скачать IRF5M5210 datasheet: IRF5M5210.PDF |