|
 |
Название электронного компонента: IRFB11N50A Описание IRFB11N50A: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.52 Ohm, ID = 11A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFB11N50A datasheet: 100Kb Скачать IRFB11N50A datasheet: IRFB11N50A.PDF |