|
 |
Название электронного компонента: IRFB18N50K Описание IRFB18N50K: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.26 Ohm, ID = 17A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFB18N50K datasheet: 83Kb Скачать IRFB18N50K datasheet: IRFB18N50K.PDF |