|
 |
Название электронного компонента: IRFB9N30A Описание IRFB9N30A: HEXFET power MOSFET. VDSS = 300V, RDS(on) = 0.45 Ohm, ID = 9.3A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFB9N30A datasheet: 137Kb Скачать IRFB9N30A datasheet: IRFB9N30A.PDF |