|
 |
Название электронного компонента: IRFB9N60A Описание IRFB9N60A: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 0.75 Ohm, ID = 9.2A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFB9N60A datasheet: 135Kb Скачать IRFB9N60A datasheet: IRFB9N60A.PDF |