|
 |
Название электронного компонента: IRFB9N65A Описание IRFB9N65A: HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 8.5A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFB9N65A datasheet: 102Kb Скачать IRFB9N65A datasheet: IRFB9N65A.PDF |