|
 |
Название электронного компонента: IRFBA22N50A Описание IRFBA22N50A: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.23 Ohm, ID = 24A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -40°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Super-220 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFBA22N50A datasheet: 106Kb Скачать IRFBA22N50A datasheet: IRFBA22N50A.PDF |