|
 |
Название электронного компонента: IRFBC30AS Описание IRFBC30AS: HEXFET power MOSFET. VDSS = 600V, RDS(on) = 2.2 Ohm, ID = 3.6A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFBC30AS datasheet: 147Kb Скачать IRFBC30AS datasheet: IRFBC30AS.PDF |