|
 |
Название электронного компонента: IRFBE30 Описание IRFBE30: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 4.1A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFBE30 datasheet: 167Kb Скачать IRFBE30 datasheet: IRFBE30.PDF |