|
 |
Название электронного компонента: IRFBG30 Описание IRFBG30: HEXFET power MOSFET. VDSS = 1000V, RDS(on) = 5.0 Ohm, ID = 3.1A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFBG30 datasheet: 167Kb Скачать IRFBG30 datasheet: IRFBG30.PDF |