|
 |
Название электронного компонента: IRFI1010N Описание IRFI1010N: HEXFET power MOSFET. VDSS =55V, RDS(on) = 0.012 Ohm, ID = 49 A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO-220 FULLPAK (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFI1010N datasheet: 109Kb Скачать IRFI1010N datasheet: IRFI1010N.PDF |