|
 |
Название электронного компонента: IRFIB5N65A Описание IRFIB5N65A: HEXFET power MOSFET. VDSS = 650V, RDS(on) = 0.93 Ohm, ID = 5.1 A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 FULLPAK (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFIB5N65A datasheet: 103Kb Скачать IRFIB5N65A datasheet: IRFIB5N65A.PDF |