|
 |
Название электронного компонента: IRFIB7N50A Описание IRFIB7N50A: HEXFET power MOSFET. VDSS = 500V, RDS(on) = 0.52 Ohm, ID = 6.6 A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 FULLPAK (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFIB7N50A datasheet: 96Kb Скачать IRFIB7N50A datasheet: IRFIB7N50A.PDF |