|
 |
Название электронного компонента: IRFIBE30G Описание IRFIBE30G: HEXFET power MOSFET. VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0 Ohm, ID = 2.1A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 FULLPAK (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFIBE30G datasheet: 142Kb Скачать IRFIBE30G datasheet: IRFIBE30G.PDF |