|
 |
Название электронного компонента: IRFIBF30G Описание IRFIBF30G: HEXFET power MOSFET. VDSS = 900V, RDS(on) = 3.7 Ohm, ID = 1.9A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220 FULLPAK (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFIBF30G datasheet: 167Kb Скачать IRFIBF30G datasheet: IRFIBF30G.PDF |