|
 |
Название электронного компонента: IRFR120N Описание IRFR120N: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: TO-252AA (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFR120N datasheet: 142Kb Скачать IRFR120N datasheet: IRFR120N.PDF |