|
 |
Название электронного компонента: IRFR9N20D Описание IRFR9N20D: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.38 Ohm, ID = 9.4A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: D-PAK (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFR9N20D datasheet: 126Kb Скачать IRFR9N20D datasheet: IRFR9N20D.PDF |