|
 |
Название электронного компонента: IRFB31N20D Описание IRFB31N20D: HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.082 Ohm, ID = 31A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFB31N20D datasheet: 190Kb Скачать IRFB31N20D datasheet: IRFB31N20D.PDF |