|
 |
Название электронного компонента: IRFB59N10D Описание IRFB59N10D: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFB59N10D datasheet: 138Kb Скачать IRFB59N10D datasheet: IRFB59N10D.PDF |