|
 |
Название электронного компонента: IRFS59N10D Описание IRFS59N10D: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 175°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRFS59N10D datasheet: 138Kb Скачать IRFS59N10D datasheet: IRFS59N10D.PDF |