|
 |
Название электронного компонента: IRG4BC10SD-S Описание IRG4BC10SD-S: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRG4BC10SD-S datasheet: 217Kb Скачать IRG4BC10SD-S datasheet: IRG4BC10SD-S.PDF |