|
 |
Название электронного компонента: IRG4BC20MD-S Описание IRG4BC20MD-S: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.85V @ VGE = 15V, IC = 11A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRG4BC20MD-S datasheet: 200Kb Скачать IRG4BC20MD-S datasheet: IRG4BC20MD-S.PDF |