|
 |
Название электронного компонента: IRG4BC20SD-S Описание IRG4BC20SD-S: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.4V @ VGE = 15V, IC = 10A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: DDPak (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRG4BC20SD-S datasheet: 382Kb Скачать IRG4BC20SD-S datasheet: IRG4BC20SD-S.PDF |