Поиск по названию
Поиск по описанию
Datasheets
/
IRG4BC30FD datasheet download
IRG4BC30FD
- Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.59V @ VGE = 15V, IC = 17A
© Datasheets.ru 2005-2025
