|
 |
Название электронного компонента: IRG4PH30KD Описание IRG4PH30KD: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247AC (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRG4PH30KD datasheet: 212Kb Скачать IRG4PH30KD datasheet: IRG4PH30KD.PDF |