Название электронного компонента: IRG4RC10KD Описание IRG4RC10KD: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.39V @ VGE = 15V, IC = 5.0A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-252AA (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRG4RC10KD datasheet: 190Kb Скачать IRG4RC10KD datasheet: IRG4RC10KD.PDF |