Название электронного компонента: IRG4RC10SD Описание IRG4RC10SD: Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.10V @ VGE = 15V, IC = 2.0A Производитель: International Rectifier Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-252AA (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IRG4RC10SD datasheet: 189Kb Скачать IRG4RC10SD datasheet: IRG4RC10SD.PDF |