|
 |
Название электронного компонента: 2N2907 Описание 2N2907: 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: - | Max: - Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N2907 datasheet: 231Kb Скачать 2N2907 datasheet: 2N2907.PDF |