|
 |
Название электронного компонента: 2N3706 Описание 2N3706: 360mW silicon general purpose AF transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92B (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N3706 datasheet: 299Kb Скачать 2N3706 datasheet: 2N3706.PDF |