Название электронного компонента: 2N4062 Описание 2N4062: 360mW PNP silicon general purpose AF transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92B (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N4062 datasheet: 137Kb Скачать 2N4062 datasheet: 2N4062.PDF |