|
 |
Название электронного компонента: 2N3962 Описание 2N3962: 360mW PNP silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N3962 datasheet: 43Kb Скачать 2N3962 datasheet: 2N3962.PDF |