|
 |
Название электронного компонента: 2N5209 Описание 2N5209: 350mW NPN silicon AF low noise small signal transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5209 datasheet: 146Kb Скачать 2N5209 datasheet: 2N5209.PDF |