|
 |
Название электронного компонента: 2N5367 Описание 2N5367: 360mW PNP silicon transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5367 datasheet: 43Kb Скачать 2N5367 datasheet: 2N5367.PDF |