|
 |
Название электронного компонента: 2N5550 Описание 2N5550: 1W NPN complementary silicon general purpose high voltage transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92F (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5550 datasheet: 165Kb Скачать 2N5550 datasheet: 2N5550.PDF |