Название электронного компонента: 2N5813 Описание 2N5813: Complementary silicon AF medium power transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер 2N5813 datasheet: 162Kb Скачать 2N5813 datasheet: 2N5813.PDF |