Название электронного компонента: BC259 Описание BC259: 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92B (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BC259 datasheet: 225Kb Скачать BC259 datasheet: BC259.PDF |