|
 |
Название электронного компонента: BC263 Описание BC263: 360mW PNP high gain low noise silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BC263 datasheet: 94Kb Скачать BC263 datasheet: BC263.PDF |