|
 |
Название электронного компонента: BCY59 Описание BCY59: 390mW NPN silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BCY59 datasheet: 175Kb Скачать BCY59 datasheet: BCY59.PDF |