|
 |
Название электронного компонента: BCY70 Описание BCY70: 350mW PNP silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BCY70 datasheet: 173Kb Скачать BCY70 datasheet: BCY70.PDF |