|
 |
Название электронного компонента: BD241B Описание BD241B: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220B (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BD241B datasheet: 97Kb Скачать BD241B datasheet: BD241B.PDF |