Datasheets search


   Поиск по названию    Поиск по описанию

  




Поиск документации /

BD242B datasheet



datasheet for BD242B by   Название электронного компонента: BD242B

Описание BD242B: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor

Производитель: ME

Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C

Корпус и выводы: TO-220B (Pins: 3)

Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader)

Размер BD242B datasheet: 98Kb

Скачать BD242B datasheet: BD242B.PDF


 © Datasheets.ru 2005-2024