Название электронного компонента: BD242B Описание BD242B: 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-220B (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BD242B datasheet: 98Kb Скачать BD242B datasheet: BD242B.PDF |