|
 |
Название электронного компонента: BSX19 Описание BSX19: 360mW NPN silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -65°C | Max: 200°C Корпус и выводы: TO-18 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер BSX19 datasheet: 95Kb Скачать BSX19 datasheet: BSX19.PDF |