|
 |
Название электронного компонента: MIB57T-J Описание MIB57T-J: 6V, 175mW infrared emitting diode Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -20°C | Max: 70°C Корпус и выводы: Not available... (Pins: 2) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MIB57T-J datasheet: 85Kb Скачать MIB57T-J datasheet: MIB57T-J.PDF |