|
 |
Название электронного компонента: MPS6512S Описание MPS6512S: 4V, 350mW NPN silicon planar epitaxial transistor Производитель: ME Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-92A (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер MPS6512S datasheet: 45Kb Скачать MPS6512S datasheet: MPS6512S.PDF |