|
 |
Название электронного компонента: IXFH6N100 Описание IXFH6N100: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFH6N100 datasheet: 77Kb Скачать IXFH6N100 datasheet: IXFH6N100.PDF |