Название электронного компонента: IXFH12N100 Описание IXFH12N100: 1000V HiPerFET power MOSFET Производитель: IXYS Темп. диапазон: Min: -55°C | Max: 150°C Корпус и выводы: TO-247 (Pins: 3) Формат файла: PDF (Requires Adobe Acrobat Reader) Размер IXFH12N100 datasheet: 232Kb Скачать IXFH12N100 datasheet: IXFH12N100.PDF |